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M24L28256SA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M24L28256SA
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内容描述: 2兆位( 256K ×8 )伪静态RAM [2-Mbit (256K x 8) Pseudo Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 243 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
PSRAM
特点
•先进的低功耗架构
•高速: 55纳秒, 70纳秒
•宽电压范围: 2.7V至3.6V
•典型工作电流为1mA @ F = 1兆赫
•低待机功耗
•自动断电时取消
M24L28256SA
2兆位( 256K ×8 )
伪静态RAM
该设备是由断言芯片使能完成( CE )
和写使能(
WE
)输入低。数据上的八个I / O
引脚( I / O
0
通过I / O
7
)将被写入的位置
在地址引脚指定的(A
0
至A
17
).
从设备读取由断言来实现
芯片使能一个( CE)和输出使能( OE )输入低电平
而强迫写使能(
WE
)高。在这些
的条件下,存储单元的由所指定的内容
地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚( I / O
0
通过I / O
7
)被放置在一个
高阻抗设备时,取消选择状态( CE
HIGH )时,输出被禁用( OE高) ,或者在写
操作( CE LOW和
WE
LOW ) 。见真情表
用于读取和写入模式的完整描述。
功能说明
该M24L28256SA是一个高性能的CMOS伪
由8位, 256K字的静态RAM ( PSRAM ) 。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能( CE)和低电平有效输出使能( OE )。这
设备具有自动断电功能,可降低
功耗显着的时候取消。写
逻辑框图
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2008年7月
调整
:
1.1
1/12