ESMT
PSRAM
特点
•先进的低功耗架构
•高速: 55纳秒, 60 ns到70 ns的
•宽电压范围: 2.7V至3.6V
•典型工作电流为1mA @ F = 1兆赫
•低待机功耗
•自动断电时取消
M24L416256DA
4兆位( 256K ×16 )伪静态RAM
取消选择时降低功耗的显着
(高CE1 , CE2低或两者
BHE
和
BLE
是HIGH ) 。
的输入/输出管脚( I / O的
0
通过I / O
15
)被放置在一个
当高阻抗状态:取消( CE1高, CE2
LOW , OE
为HIGH时) ,或者在写操作期间(芯片
启用和写使能
WE
低) 。
从设备读取由断言来实现
芯片启用( CE1 LOW和HIGH CE2 )和输出
启用( OE )低,而强迫写使能(
WE
)高。
如果低字节使能(
BLE
)为低电平,那么从存储器数据
通过A17的地址引脚A0指定位置将
出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能(
BHE
)为低时,
再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。见
真值表的完整描述的读写
模式。
功能说明
该M24L416256DA是一个高性能的CMOS伪
16位组织为256K字的静态RAM ( PSRAM )的
支持异步存储器接口。该装置
功能先进的电路设计,提供超低活跃
电流。这非常适合于便携式应用,如蜂窝
电话。该装置可被置于待机模式
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2008年7月
修订: 1.5
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