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    M24L416256DA-70BEG 参数 Datasheet PDF下载

    M24L416256DA-70BEG图片预览
    型号： M24L416256DA-70BEG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 256K ×16 ）伪静态RAM [4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 15 页 / 313 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第11页浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第12页浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第13页浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第15页  
    ESMT
    修订历史
    调整
    1.0
    1.1
    1.2
    1.3
    1.4
    1.5
    日期
    2007.07.04
    2007.11.20
    2007.11.22
    2008.02.27
    2008.03.24
    2008.07.04
    原
    描述
    M24L416256DA
    修改的描述性错误的待机模式，T
    HZWE
    和T
    LZWE
    描述
    修改吨
    HZBE
    和T
    LZBE
    描述和恢复吨
    HZWE
    和T
    LZWE
    描述
    1.新增44引脚TSOPII封装
    2.新增避免时间
    添加I级的TSOPII封装
    1.将修订历史到最后
    2.修改电压范围为2.7V 〜 3.3V到2.7V 〜 3.6V
    3.添加工业级的BGA封装
    晶豪科科技有限公司
    出版日期： 2008年7月
    修订： 1.5
    14/15

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