ESMT
PSRAM
特点
•宽电压范围： 2.7V - 3.6V
•访问时间： 55 ns的， 60纳秒70纳秒
•超低有功功率
- 典型工作电流为1mA @ F = 1兆赫
- 典型工作电流：8毫安F = f最大（ 70纳秒的速度）
•超低待机功耗
•自动断电时取消
• CMOS的最佳速度/功耗
M24L416256SA
4兆位（ 256K ×16 ）伪静态RAM
的输入/输出管脚（I / O0through I / O的
15
）被放置在一个
，输出取消（ CE HIGH ） ：在高阻抗状态
禁用（
OE
HIGH ） ，无论是高字节使能和字节
低启用已禁用（
BHE
,
BLE
高） ，或在写入期间
操作（ CE LOW和
WE
低） 。
写入设备通过取芯片来实现
使能（ CE LOW）和写使能（
WE
）输入低电平。如果字节
低使能（
BLE
）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
）被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（
BHE
）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE LOW）和输出使能（ OE ）低，而
强迫写使能（
WE
）高。如果低字节使能
(
BLE
）为低电平，那么从所述存储器位置指定数据
通过地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节高
启用（
BHE
）为低电平，然后从存储器中的数据将出现在
I / O
8
布袋/ O
15
。请参考真值表的完整说明
读写模式。
功能说明
该M24L416256SA是一个高性能的CMOS伪
由16位支持组织成256K字的静态RAM
异步存储器接口。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这非常适合于便携式应用，如蜂窝
电话。该装置可被置于待机模式时
取消选择（ CE为高或都
BHE
和
BLE
是HIGH ） 。
逻辑框图
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年7月
修订： 1.4
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ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
