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M24L48512DA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M24L48512DA
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内容描述: 4兆位( 512K ×8 )伪静态RAM [4-Mbit (512K x 8) Pseudo Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 278 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
PSRAM
M24L48512DA
4兆位( 512K ×8 )
伪静态RAM
特点
先进的低功耗架构
高速: 55纳秒, 60 ns到70 ns的
宽电压范围: 2.7V至3.6V
典型工作电流:为1mA F = 1兆赫
低待机功耗
取消时自动断电
启用(
WE
)输入低和芯片使能两( CE2 )输入
HIGH 。在8个I / O引脚的数据(I / O
0
通过I / O
15
)然后
写入的地址引脚指定的位置(A
0
至A
18
).
从设备读取由断言来实现
芯片使能一( CE1 )和输出使能( OE )输入低电平
而强迫写使能(
WE
)高和芯片使能
二( CE2 )高。的在这些条件下,将内容
由地址引脚指定的存储器位置上会出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚( I / O
0
通过I / O
7
)被放置在一个
当设备被取消CE1高阻抗状态
高或低CE2 ) ,输出被禁止( OE高) ,或
写操作过程中( CE1低, CE2高,并
WE
LOW )。查看真值表读一个完整的描述
写模式。
功能说明
该M24L48512DA是一个高性能的CMOS伪
由8位, 512K字的静态RAM ( PSRAM ) 。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片提供
使能( CE1 ) ,高电平有效芯片使能( CE2 ) ,和主动
低输出使能( OE )。该设备具有自动
掉电功能,可降低功耗
显着的时候取消。写器件是
通过采取芯片使能一( CE1 )和写完成
逻辑框图
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2008年7月
调整
:
1.1
1/12