ESMT
热电阻[6]
参数
θ
JA
θ
JC
M24L48512DA
描述
测试条件
测试条件遵循标准测试
方法和程序，用于测量
热阻抗，按照EIA / JESD51 。
VFBGA
55
17
单位
° C / W
° C / W
热阻（结到环境）
热阻（结到管壳）
交流测试负载和波形
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V V
CC
22000
22000
11000
1.50
单位
Ω
Ω
Ω
V
开关特性（在工作范围内） [ 7 ]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
低CE1和CE2高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z [8 ， 9 ]
OE高来高Z [ 8 ， 9 ]
低CE1和CE2高后低Z [ 8 ，
9]
2
25
0
55
45
45
0
60
45
45
0
5
25
2
25
5
70
60
55
0
–55
分钟。
55
[11]
55
5
55
25
5
25
5
25
10
8
60
25
5
25
马克斯。
分钟。
60
60
10
70
35
–60
马克斯。
分钟。
70
70
–70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
高CE1和CE2低到高Z [ 8 ，
9]
[11]
t
SK
地址偏移
写周期[ 10 ]
t
WC
写周期时间
t
SCE
低CE1和CE2 HIGH撰写完
t
AW
t
HA
地址建立撰写完
从写端地址保持
注意事项：
7.测试条件假设1 V / ns的或更高的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲的0V电平到
V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
9.高- Z和低Z参数表征，不是100 ％测试。
存储器10.内部写入时间由的重叠限定
WE
， CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
。所有信号必须是有源
开始写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入建立时间和保持时间
应参考终止写操作的信号的边沿。
11.To达到55纳秒的性能，读取权限应CE控制。在这种情况下吨
ACE
是临界参数和叔
SK
is
满足的时候，地址是稳定的前片选去激活。为70 ns的周期中，地址必须是稳定的
内的读周期开始后的10纳秒。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年7月
修订： 1.1
4/12
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
