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M24L48512SA-70BEG 参数 Datasheet PDF下载

M24L48512SA-70BEG图片预览
型号: M24L48512SA-70BEG
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内容描述: 4兆位( 512K ×8 )伪静态RAM [4-Mbit (512K x 8) Pseudo Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 274 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
PSRAM
M24L48512SA
4兆位( 512K ×8 )
伪静态RAM
特点
先进的低功耗架构
高速: 55纳秒, 60 ns到70 ns的
宽电压范围: 2.7V至3.6V
典型工作电流:为1mA F = 1兆赫
低待机功耗
取消时自动断电
消费大幅时候取消。写入
设备通过采取芯片使能( CE )和写完成
启用(
WE
)输入低。在8个I / O引脚的数据(I / O
0
通过I / O
7
)然后被写入到所指定的位置的
地址引脚(A
0
至A
18
)从设备.Reading是
通过认定的芯片使能( CE)和输出完成
启用( OE )输入为低电平,同时迫使写使能(
WE
)
HIGH 。存储器的在这些条件下,将内容
由地址引脚指定的位置将显示在I / O的
销。八个输入/输出引脚( I / O
0
通过I / O
7
)置于
在当设备被取消高阻抗状态( CE
HIGH )时,输出被禁用( OE高) ,或者在写
操作( CE LOW和
WE
LOW ) 。见真情表
用于读取和写入模式的完整描述。
功能说明
该M24L48512SA是一个高性能的CMOS伪
由8位, 512K字的静态RAM ( PSRAM ) 。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片提供
使能( CE)和低电平有效输出使能( OE )。该装置
具有自动断电功能,可降低功耗
逻辑框图
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2008年7月
调整
:
1.1
1/12