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M24L816512DA-70BEG 参数 Datasheet PDF下载

M24L816512DA-70BEG图片预览
型号: M24L816512DA-70BEG
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内容描述: 8兆位( 512K ×16 )伪静态RAM [8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 310 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
PSRAM
特点
“高级
低功耗架构
•高速: 55纳秒, 70纳秒
•宽电压范围: 2.7V到3.6V
- 典型工作电流:2毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流: 11毫安@频率= F
最大
•低待机功耗
•自动断电时取消
M24L816512DA
8兆位( 512K ×16 )
伪静态RAM
功能说明
该M24L816512DA是一个高性能的CMOS伪
16位组织为512K字的静态RAM ( PSRAM )的
支持异步存储器接口。该装置
功能先进的电路设计,提供超低活跃
电流。这非常适合于便携式应用,如蜂窝
电话。该装置可被置于待机模式
取消选择时降低功耗的显着
( CE1低, CE2高或都
BHE
BLE
是HIGH ) 。
的输入/输出管脚( I / O的
0
通过I / O
15
)被放置在一个
当高阻抗状态:取消( CE1高, CE2
低) ,OE变为无效高电平时,或在写操作期间
(芯片使能和写使能
WE
LOW ) 。从阅读
该装置通过断言芯片使能实现
( LOW CE1和CE2高)和输出使能( OE )低
而强迫写使能(
WE
)高。如果字节低
启用(
BLE
)为低电平,那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果
高字节使能(
BHE
)为低电平,然后从存储器中的数据将
出现在I / O
8
到I / O
15
。见真情表完整
读写模式的描述。
逻辑框图
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2008年7月
调整
:
1.1
1/12