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    M24L816512DA-70BEG 参数 Datasheet PDF下载

    M24L816512DA-70BEG图片预览
    型号： M24L816512DA-70BEG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8兆位（ 512K ×16 ）伪静态RAM [8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 310 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第11页浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第12页  
    ESMT
    避免时间
    M24L816512DA
    ESMT伪SRAM具有不支持在读操作时序，如果系统有多个地址无效信号
    比的tRC短的期间为15μs以上时显示为异常的时序读操作时，它需要在真皮休闲在正常的读出时序
    如图中可避免时间1或CE1切换到高为15μs （ ≧吨
    RC
    ） 1时至少显示为可避免的定时2 。
    时序异常
    ≧
    15μs
    CE1
    WE
    ＜
    t
    RC
    地址
    避免时间1
    ≧
    15μs
    CE1
    WE
    ≧
    t
    RC
    地址
    避免定时2
    ≧
    15μs
    CE1
    ≧
    t
    RC
    WE
    ＜
    t
    RC
    地址
    晶豪科科技有限公司
    出版日期
    :
    2008年7月
    调整
    :
    1.1
    8/12

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