ESMT
PSRAM
特点
“高级
低功耗架构
•高速： 55纳秒， 70纳秒
•宽电压范围： 2.7V至3.6V
- 典型工作电流：2毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 11毫安@频率= F
最大
•低待机功耗
•自动断电时取消
M24L816512SA
8兆位（ 512K ×16 ）
伪静态RAM
低字节使能禁用（
BHE
,
BLE
高） ，或在
写操作（CE LOW和
WE
低） 。
写入设备通过取芯片来实现
使能（ CE LOW）和写使能（
WE
）输入低电平。如果
低字节使能（
BLE
）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
）被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
18
） 。如果高字节使能（
BHE
）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入
插入地址引脚指定的位置（A
0
通过
A
18
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE LOW）和输出使能（ OE ）低，而
强迫写使能（
WE
）高。如果低字节使能
(
BLE
）为低电平，那么从所述存储器位置指定数据
通过地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节高
启用（
BHE
）为低电平，然后从存储器中的数据将出现在
I / O
8
布袋/ O
15
。请参考真值表的完整说明
读写模式。
功能说明
该M24L816512SA是一个高性能的CMOS伪
16位组织为512K字的静态RAM （ PSRAM ）的
支持异步存储器接口。该装置
功能先进的电路设计，提供超低活跃
电流。这非常适合于便携式应用，如蜂窝
电话。该装置可被置于待机模式时
取消选择（ CE为高或都
BHE
和
BLE
是HIGH ） 。
的输入/输出管脚（I / O0through I / O的
15
）被放置在一个
当高阻抗状态：取消（ CE
高） ，
输出被禁止（
OE
HIGH ） ，无论是高字节使能
和
逻辑框图
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2009年6月
调整
:
1.5
1/14
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
