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M52D16161A-7.5TIG 参数 Datasheet PDF下载

M52D16161A-7.5TIG图片预览
型号: M52D16161A-7.5TIG
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内容描述: 512K X 16Bit的X 2Banks手机同步DRAM [512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器手机
文件页数/大小: 32 页 / 888 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
移动SDRAM
M52D16161A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
512K X 16Bit的X 2Banks
手机同步DRAM
特点
1.8V电源
LVCMOS与复用地址兼容
双银行操作
MRS周期与解决关键程序
-
CAS延迟( 2 & 3 )
-
突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
-
突发类型(顺序&交错)
EMRS周期地址重点项目。
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
突发读取单位写操作
特殊功能的支持。
-
PASR (部分阵列自刷新)
-
TCSR (温度补偿自刷新)
-
DS (驱动力)
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
32ms的刷新周期( 2K周期)
概述
该M52D16161A是16777216位同步高速数据
率动态RAM组织为2× 524,288字16位,
装配式
高性能CMOS技术。
同步设计允许使用精确的周期控制
系统时钟的I / O事务处理可在每个时钟周期。
工作频率,可编程突发长度范围
可编程延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽,高性能的存储系统
应用程序。
订购信息
产品编号
M52D16161A-6TIG
M52D16161A-7.5TIG
M52D16161A-10TIG
M52D16161A-6BIG
M52D16161A-7.5BIG
M52D16161A-10BIG
1
2
DQ15
3
4
最大频率。
166MHz
133MHz
100MHz
166MHz
133MHz
100MHz
5
6
DQ0
50引脚的TSOP (II)的
50引脚的TSOP (II)的
50引脚的TSOP (II)的
60球VFBGA
60球VFBGA
60球VFBGA
7
VDD
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
引脚配置(顶视图)
V
DD
DQ0
DQ1
V
SSQ
DQ2
DQ3
V
DDQ
DQ4
DQ5
V
SSQ
DQ6
DQ7
V
DDQ
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
SS
DQ15
DQ14
V
SSQ
DQ13
DQ12
V
DDQ
DQ11
DQ10
V
SSQ
DQ9
DQ8
V
DDQ
N.C / RFU
UDQM
CLK
CKE
N.C
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
50PIN TSOP (II)的
( 400mil X 825mil )
(0.8毫米针距)
A
VSS
B
DQ14
VSSQ
VDDQ
DQ1
C
DQ13
VDDQ
VSSQ
DQ2
D
DQ12
DQ11
DQ4
DQ3
E
DQ10
VSSQ
VDDQ
DQ5
F
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
G
DQ8
NC
NC
DQ7
H
NC
NC
NC
NC
J
NC
UDQM
LDQM
WE
K
NC
CLK
RAS
CAS
L
CKE
NC
NC
CS
M
BA
A9
NC
NC
N
A8
A7
A0
A10
P
A6
A5
A2
A1
60球VFBGA
(6.4x10.1mm)
( 0.65毫米焊球间距)
R
VSS
A4
A3
VDD
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2009年9月
调整
:
1.1
1/32