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M52D32162A-10TG 参数 Datasheet PDF下载

M52D32162A-10TG图片预览
型号: M52D32162A-10TG
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内容描述: 1米x 16Bit的X 2Banks同步DRAM [1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 30 页 / 768 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
功能框图
M52D32162A
LWE
BANK SELECT
数据输入寄存器
LDQM
1M ×16
DQI
CLK
添加
1M ×16
列解码器
延迟&突发长度
LCKE
编程注册
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
LWCBR
LDQM
注册时间
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
L( U) DQM
引脚功能说明
CLK
CS
CKE
A0 ~ A11
BA
RAS
名字
系统时钟
芯片选择
时钟使能
地址
银行选择地址
行地址选通
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作,除了用屏蔽或使所有输入
CLK , CKE和L ( U) DQM 。
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址: RA0 〜 RA11 ,列地址: CA0 〜 CA7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
锁存的列地址,在CLK的与正向边沿
CAS低。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存数据从CAS开始,
WE
活跃的。
使得数据输出高阻,时钟和面具后输出tSHZ 。
块中的数据输入时, L( U) DQM活跃。
CAS
列地址选通
WE
写使能
数据输入/输出面膜
L( U) DQM
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
五月。 2007年
调整
:
1.4
3/30