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M52D32162A-7.5BG 参数 Datasheet PDF下载

M52D32162A-7.5BG图片预览
型号: M52D32162A-7.5BG
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内容描述: 1米x 16Bit的X 2Banks同步DRAM [1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 30 页 / 768 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
阅读&写周期在同一家银行@Burst长度= 4
0
时钟
M52D32162A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CKE
*Note1
t
RC
CS
t
RCD
RAS
*Note2
CAS
ADDR
Ra
Ca0
Rb
Cb0
BA
A10/AP
Ra
Rb
t
OH
CL=2
QC
CL=3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
t
ř交流
*Note3
t
S交流
Qa0
t
中文ž
t
Ø ħ
Qa1
Qa2
Qa3
*Note4
t
RDL
Db0
Db1
Db2
Db3
t
ř交流
*Note3
t
S交流
t
中文ž
*Note4
t
RDL
WE
DQ M
行活动
( A-银行)
( A-潘基K)
预充电
( A-银行)
行活动
( A-银行)
W R ITE
( A-潘基K)
预充电
( A-银行)
:无所谓
*注意:
1.Minimum行周期时间才能完成内部DRAM操作。
2.Row预充电可以中断突发的任何周期。 [CAS延迟- 1 ]行后有效输出数据的数量可
预充电。最后的有效输出将是高阻(T
SHZ
)钟后。
3.Access时间从行激活命令。 TCC * (T
RCD
+ CAS延迟- 1 ) + T
SAC
4.Ouput将高阻脉冲结束后( 1,2,4,8位脉冲串)
一阵无法在全页模式结束。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
五月。 2007年
调整
:
1.4
15/30