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M52D32162A-10BG 参数 Datasheet PDF下载

M52D32162A-10BG图片预览
型号: M52D32162A-10BG
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内容描述: 1米x 16Bit的X 2Banks手机同步DRAM [1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器手机
文件页数/大小: 32 页 / 808 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
移动SDRAM
M52D32162A
1米x 16Bit的X 2Banks
手机同步DRAM
特点
1.8V电源
LVCMOS与复用地址兼容
双银行操作
MRS周期与解决关键程序
-
CAS延迟( 2 & 3 )
-
突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
-
突发类型(顺序&交错)
EMRS周期地址重点项目。
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
突发读取单位写操作
特殊功能的支持。
-
PASR (部分阵列自刷新)
-
TCSR (温度补偿自刷新)
-
DS (驱动力)
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期( 4K周期)
概述
该M52D32162A是33554432位同步高
数据速率动态随机存储器组织成2× 1,048,576字
由16位,制造具有高性能的CMOS
技术。同步设计允许精确周期
通过使用系统时钟I控制/ O交易
可能在每一个时钟周期。经营范围
频率,可编程的突发长度和可编程
延迟允许在同一设备是为各种有用的
高带宽,高性能的存储系统
应用程序。
订购信息
产品编号
M52D32162A -7TG
最大
频率。
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
143MHz下54引脚TSOP ( II )
M52D32162A -10TG 100MHz的54引脚TSOP ( II )
M52D32162A -7BG
143MHz
54球BGA
54球BGA
M52D32162A -10BG 100MHz的
引脚配置(顶视图)
顶视图
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
A
10
/ AP
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
S SQ
DQ14
DQ13
V
ð DQ
DQ12
DQ11
V
S SQ
DQ10
DQ9
V
ð DQ
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
V
S S
DQ14
DQ12
2
ð Q1 5
ð Q1 3
DQ11
54球BGA封装( 8mmx8mm )
3
V
S S小Q
4
5
6
7
V
DDQ
8
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
9
V
DD
DQ1
V
DDQ
V
SS Q
V
DDQ
V
S S小Q
V
DDQ
V
S SQ
DQ3
DQ5
DQ10
DQ9
DQ8
NC
CLK
A11
V
SS
V
DD
LDQM
DQ7
WE
CS
A1 0
V
DD
UDQM
CKE
A9
CAS
BA
A0
A9
RAS
NC
NC
A8
V
SS
A7
A5
A6
A4
A1
A2
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2009年7月
调整
:
1.6
1/32