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    M52L64164A-6TG 参数 Datasheet PDF下载

    M52L64164A-6TG图片预览
    型号： M52L64164A-6TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1M ×16位×4银行同步DRAM [1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 47 页 / 1264 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M52L64164A-6TG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M52L64164A-6TG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M52L64164A-6TG的Datasheet PDF文件第11页浏览型号M52L64164A-6TG的Datasheet PDF文件第12页浏览型号M52L64164A-6TG的Datasheet PDF文件第14页浏览型号M52L64164A-6TG的Datasheet PDF文件第15页浏览型号M52L64164A-6TG的Datasheet PDF文件第16页浏览型号M52L64164A-6TG的Datasheet PDF文件第17页  
    ESMT
    设备操作（续）
    自动预充电
    在预充电操作，也可以通过使用执行
    自动预充电。 SDRAM的内部生成的定时
    为了满足t
    RAS （分钟）
    和“t
    RP
    “对于编程的突发长度
    和CAS延迟。是在发出的自动预充电命令
    通过置高对A10的同时，突发写入/ AP ，
    该行预充电命令是断言。一旦汽车
    预充电命令被给出，没有新的命令是
    可以给该特定的银行，直到该行成为空转
    状态。
    两家银行预充电
    A11银行可以在同一时间通过利用预充电
    预充电所有命令。在CS ， RAS ，并声称低
    WE
    具有高的A10 / AP后，所有银行都满意吨
    RAS
    （分钟）
    要求，进行预充电所有银行。在
    吨的结束
    RP
    进行预充电后的所有，所有银行都处于空闲
    状态。
    M52L64164A
    自刷新
    自刷新是另一刷新模式中可用的
    SDRAM 。自刷新是优选的刷新模式
    数据保留和SDRAM的低功耗操作。
    在自刷新模式中，SDRAM禁止内部
    时钟和所有的输入缓冲器除CKE 。刷新
    寻址和定时由内部产生，以减少
    功耗。自刷新模式时被输入
    从所有银行闲置状态通过发出低CS ，
    RAS ， CAS和CKE高上
    WE
    。一旦自我
    刷新方式进入，只有CKE状态是低
    问题，其他所有输入接口，包括时钟被忽略
    留在刷新。
    自刷新是由外部时钟重新启动退出
    然后宣称在高CKE 。这必须遵循
    通过NOP的在t的最小时间
    RFC
    在SDRAM之前
    到达空闲状态，开始正常运行。 4K周期
    爆自动刷新是自前立即要求
    刷新进入和自刷新退出后即可。
    自动刷新
    需要SDRAM的存储单元被刷新一次
    64ms的保持数据。自动刷新周期完成
    刷新存储单元的一个行的。内部计数器
    在每个自动刷新周期自动递增
    刷新所有行。通过发出一个自动刷新命令
    主张低CS ， RAS和CAS高的CKE
    和
    WE
    。自动刷新命令只能断言
    有两家银行正在处于闲置状态，设备不
    断电模式（CKE是高的前一周期） 。该
    需要填写的自动刷新操作时间
    经t指定
    RFC （MIN）
    。个时钟周期的最小数目
    需要通过驱动吨计算
    RFC
    与时钟周期
    时间，并将其向上舍入到下一个较高的整数。该
    自动刷新命令后面必须跟NOP的，直到
    自动刷新操作完成。自动刷新是
    当SDRAM中被用于优选的刷新模式
    正常的数据处理。自动刷新周期可以
    在15.6us执行一次。
    晶豪科科技有限公司
    出版日期： 2008年9月
    修订： 1.1
    13/47

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