ESMT
移动SDRAM
特点
2.5V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟（ 2 & 3 ）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 突发类型（顺序&交错）
EMRS周期地址
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
特殊功能的支持
-
PASR （部分阵列自刷新）
-
TCSR （温度补偿自刷新）
-
DS （驱动力）
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 4K周期）
M52S128168A
2M ×16位×4银行
同步DRAM
订购信息
产品编号
M52S128168A-7TG
M52S128168A-7BG
最大频率。
143MHz
143MHz
包
54 TSOP II
54球FBGA
54 TSOP II
54球FBGA
54 TSOP II
54球FBGA
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
M52S128168A - 133MHz的7.5TG
M52S128168A - 133MHz的7.5BG
M52S128168A-10TG
M52S128168A-10BG
100MHz
100MHz
概述
该M52S128168A是134217728位同步的高数据速率动态随机存储器组织成4个字2,097,152
由16位。同步设计允许精确的周期控制与利用系统时钟的I / O事务是可能的
每个时钟周期。工作频率范围，可编程突发长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。
引脚配置（顶视图）
1
2
DQ15
3
VSSQ
4
5
6
7
VDDQ
8
DQ0
9
VDD
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A
10
/ AP
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
A
VSS
B
DQ14
DQ13
VDDQ
VSSQ
DQ2
DQ1
C
DQ12
DQ11
VSSQ
VDDQ
DQ4
DQ3
D
DQ10
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
DQ5
E
DQ8
NC
VSS
VDD
LDQM
DQ7
F
UDQM
CLK
CKE
CAS
RAS
WE
G
NC
A11
A9
BA0
BA1
CS
H
A8
A7
A6
A0
A1
A10
J
VSS
A5
A4
A3
A2
VDD
54球FBGA
(8x8mm)
（毫米焊球间距）
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年12月
修订： 1.2
1/47
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
