ESMT
移动SDRAM
M52S32162A
1米x 16Bit的X 2Banks
手机同步DRAM
特点
2.5V电源
LVCMOS与复用地址兼容
双银行操作
MRS周期与解决关键程序
-
CAS延迟（ 1 ， 2 & 3 ）
-
突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
-
突发类型（顺序&交错）
EMRS周期地址重点项目。
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
突发读取单位写操作
特殊功能的支持。
-
PASR （部分阵列自刷新）
-
TCSR （温度补偿自刷新）
-
DS （驱动力）
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 4K周期）
概述
该M52S32162A是33554432位同步高速数据
率动态RAM组织为2× 1,048,576字16
位，制造高性能CMOS技术。
同步设计允许通过使用精确的周期控制
系统时钟的I / O事务处理可在每时钟
周期。工作频率范围，可编程突发
长度和可编程延迟允许在同一个设备到
针对各种不同的高带宽，高性能有用
存储器系统的应用程序。
订购信息
产品编号
M52S32162A -6TG
最大
频率。
包
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
166MHz的54引脚TSOP （ II ）
M52S32162A -7.5TG 133MHz的54引脚TSOP （ II ）
M52S32162A -10TG
M52S32162A -6BG
100MHz的54引脚TSOP （ II ）
166MHz
54球VFBGA
54球VFBGA
54球VFBGA
M52S32162A -7.5BG 133MHz的
M52S32162A -10BG
100MHz
引脚配置（顶视图）
顶视图
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
A
10
/ AP
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ1 5
V
S SQ
DQ1 4
DQ1 3
V
DDQ
DQ1 2
DQ1 1
V
S SQ
DQ1 0
DQ9
V
DDQ
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
54球FVBGA （ 8mmx8mm ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
V
S S
DQ14
DQ12
2
ð Q1 5
ð Q1 3
DQ11
3
V
S S小Q
4
5
6
7
V
DDQ
8
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
9
V
DD
DQ1
V
DDQ
V
SS Q
V
DDQ
V
S S小Q
V
DDQ
V
S SQ
DQ3
DQ5
DQ10
DQ9
DQ8
NC
CLK
A11
V
SS
V
DD
LDQM
DQ7
WE
CS
A1 0
V
DD
UDQM
CKE
A9
CAS
BA
A0
A9
RAS
NC
NC
A8
V
SS
A7
A5
A6
A4
A1
A2
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2008年12月
调整
:
1.4
1/30
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
