ESMT
移动SDRAM
M52S64322A
512K ×32位×4银行
手机同步DRAM
特点
2.5V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟（ 2 & 3 ）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 突发类型（顺序&交错）
EMRS周期地址
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
特殊功能的支持
-
PASR （部分阵列自刷新）
-
TCSR （温度补偿自刷新）
-
DS （驱动力）
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 4K周期）
订购信息
产品编号
M52S64322A-7.5BG
M52S64322A-10BG
最大
频率。
133MHz
100MHz
包
90球FBGA
90球FBGA
评论
无铅
无铅
概述
该M52S64322A为67,108,864比特同步高数据速率动态随机存储器组织成4× 524,288字经
32位。同步设计允许精确的周期控制与利用系统时钟的I / O事务是可能的
每个时钟周期。工作频率范围，可编程突发长度和可编程延迟允许
相同的设备，以针对各种不同的高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。
引脚分配
90球FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
2
3
4
5
6
7
8
9
DQ26 DQ24 VSS
DQ28 VDDQ VSSQ
VSSQ DQ27 DQ25
VSSQ DQ29 DQ30
VDDQ DQ31
VSS DQM3
A4
A7
CLK
DQM1
A5
A8
CKE
NC
NC
A3
A6
NC
A9
NC
VSS
VDD DQ23 DQ21
VDDQ VSSQ DQ19
DQ22 DQ20 VDDQ
DQ17 DQ18 VDDQ
NC
A2
A10
NC
BA0
CAS
VDD
DQ6
DQ1
DQ16 VSSQ
DQM2 VDD
A0
BA1
CS
WE
A1
NC
RAS
DQM0
VDDQ DQ8
DQ7 VSSQ
DQ5 VDDQ
DQ3 VDDQ
VSSQ DQ10 DQ9
VSSQ DQ12 DQ14
DQ11 VDDQ VSSQ
DQ13 DQ15 VSS
VDDQ VSSQ DQ4
VDD
DQ0
DQ2
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年8月
修订： 1.3
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ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
