M53D128168A-7.5BAIG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M53D128168A-7.5BAIG
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内容描述：	2M ×16位×4银行移动DDR SDRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	46 页 / 1076 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

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ESMT

移动DDR SDRAM

M53D128168A

工作温度条件-40 ° C〜 85°C

2M ×16位×4银行

移动

DDR SDRAM

特点

JEDEC标准

内部流水线双数据速率的体系结构，两个数据

每个时钟周期的访问

双向数据选通（ DQS）

无DLL ; CLK到DQS不同步。

差分时钟输入（ CLK和CLK ）

四银行操作

CAS延迟： 2,3

突发类型：顺序和交错

突发长度： 2 ， 4 ， 8

特殊功能的支持

PASR （部分阵列自刷新）

内部TCSR （温度补偿自

刷新）

DS （驱动力）

除了数据& DM所有输入进行采样在上升

在系统时钟的上升沿（ CLK）

我的数据在数据选通信号的两边/ O转换（ DQS ）

DQS是边沿对齐与读取数据;居中对齐

与写入数据

数据屏蔽（ DM）只写屏蔽

DDQ

= 1.7V ~ 1.9V

自动&自我刷新

15.6us刷新间隔（ 64ms的刷新周期， 4K周期）

1.8V LVCMOS兼容的输入

60球BGA封装

订购信息：

产品型号

M53D128168A -7.5BAIG

M53D128168A -10BAIG

最大频率

133MHz

100MHz

VDD

1.8V

包

8x13毫米

BGA

无铅

功能框图

CLK

CKE

地址

模式寄存器&

扩展模式

时钟

发电机

组D

C银行

B组

行解码器

ROW

地址

卜FF器

＆放大器;

刷新

计数器

银行

的DQ

检测放大器

CAS

数据控制电路

输入输出&

卜FF器

闩锁电路

RAS

控制逻辑

命令解码器

COLUMN

地址

卜FF器

＆放大器;

刷新

计数器

列解码器

晶豪科科技有限公司

出版日期： 2008年12月

修订： 1.0

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