2N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N60
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内容描述：	N2安培， 600Volts N沟道MOSFET [N2 Amps，600Volts N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 373 K
品牌：	ESTEK [ Estek Electronics Co. Ltd ]

2N60

N2安培

，

600Volts

N沟道MOSFET

■

描述

该ET2N60的N- Ceannel增强型硅栅

专为高电压，高速功率开关

应用，例如开关稳压器，开关转换器，

电磁线圈，电机驱动器，继电器驱动器

功率MOSFET是

■

特点

DS （ ON）

= 5.00 @V

= 10 V

低栅极电荷（典型值9NC ）

高耐用性

快速开关能力

较高的雪崩能量

改进的dv / dt能力

■

符号

■

绝对最大额定值

= 25 ℃ ，除非另有规定）

参数

漏源电压

栅源电压

排水Currenet

连续

漏电流脉冲

雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功耗

=25℃

=100℃

（注1 ）

重复（注1 ）

单脉冲（注

（注3）

=25℃

dv / dt的

55.5

23.6

符号

TO-220

DSS

GSS

评级

TO-220F

600

±30

TO-251

TO-252

1.9

1.14

7.6

4.4

120

4.5

V / ns的

单位

2.0

1.35

5.55

130

2.0

＊

1.35

＊

北京ESTEK ELECTRONICS CO 。， LTD。

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