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    BLV1N60A 参数 Datasheet PDF下载

    BLV1N60A图片预览
    型号： BLV1N60A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-channel Enhancement Mode Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 402 K
    品牌： ESTEK [ Estek Electronics Co. Ltd ]
     浏览型号BLV1N60A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BLV1N60A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BLV1N60A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BLV1N60A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BLV1N60A的Datasheet PDF文件第6页  
    BLV1N60A
    N沟道增强型功率MOSFET
    电气特性
    (
    T
    C
    = 25℃ ，除非另有说明）
    符号
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    /∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    参数
    漏源击穿电压
    击穿电压
    温度COEF网络cient
    栅极阈值电压
    漏极 - 源极漏电流
    漏极 - 源极漏电流
    Tc=125℃
    栅极 - 源极漏电流
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =250uA
    参考25 ℃ ，
    I
    D
    =1mA
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =250uA
    V
    DS
    =600V, V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =480V, V
    GS
    =0V
    V
    GS
    = ± 20V
    V
    DD
    =480V
    I
    D
    =0.5A
    V
    GS
    =10V
    (note3)
    V
    DD
    =300V
    I
    D
    =0.5A
    R
    G
    =25Ω
    note3
    (note3)
    V
    DS
    =25V
    V
    GS
    =0V
    F = 1MHz的
    分钟。
    600
    -
    -
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    0.6
    -
    -
    0.8
    -
    -
    -
    3
    1
    1.2
    -
    -
    -
    -
    105
    19
    2
    马克斯。
    -
    -
    15
    4
    -
    1
    100
    ±100
    -
    -
    -
    30
    60
    45
    75
    -
    -
    -
    单位
    V
    V/℃
    Ω
    V
    S
    uA
    uA
    nA
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    pF
    pF
    pF
    静态漏源导通电阻V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =0.25A
    正向跨导（注3 ）V
    DS
    = 15V ，我
    D
    =0.25A
    I
    GSS
    Qg
    QGS
    QGD
    t
    （上）
    t
    r
    t
    （关闭）
    t
    f
    西塞
    科斯
    CRSS
    源极 - 漏极二极管的特性
    符号
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    r r
    参数
    测试条件
    分钟。
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    136
    0.3
    马克斯。
    0.5
    2
    1.8
    -
    -
    单位
    A
    A
    V
    ns
    uC
    连续源二极管的正向电流
    脉冲源二极管的正向电流
    正向电压上
    反向恢复时间（注3 ）
    反向恢复电荷
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =0.5A
    V
    GS
    = 0V时，我
    S
    =0.5A
    dI
    F
    / DT = 100A / us的
    注意：
    （ 1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
    (2)
    L = 25mH ，攻速= 0.5A ， VDD = 50V ， RG = 25Ω ，盯着TJ = 25℃
    （3 ）脉冲宽度
    ≤
    300我们;占空比
    ≤
    2%
    -2-
    共6页

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