BLV5N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BLV5N60
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 396 K
品牌：	ESTEK [ Estek Electronics Co. Ltd ]

BLV5N60

N沟道增强型功率MOSFET

•

较高的雪崩能量

快速开关

简单的驱动要求

DSS

DS （ ON）

600V

2.5Ω

4.5A

描述

这种先进的高电压MOSFET产生

上海贝岭采用的专有DMOS技术。

专为高效率开关模式电源

绝对最大额定值

(

=25

C除非另有说明）

符号

SDG

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

连续漏电流（

=100

)

漏电流（脉冲）（注1 ）

功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量（注2 ）

雪崩电流

重复性雪崩能量

工作结温范围

存储温度范围

价值

600

+ 20

4.5

2.6

104

0.83

218

4.5

10.4

-55到+150

单位

W/℃

热特性

符号

第j个-C

日J-一

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

马克斯。

价值

1.2

62.5

单位

℃/

-1-

共6页

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