E1010 参数 Datasheet PDF下载

型号：	E1010
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 209 K
品牌：	ESTEK [ Estek Electronics Co. Ltd ]

E 1010

HEXFET

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

功率MOSFET

DSS

= 60V

= 84A

DS （ ON）

=13mΩ

描述

从先进的HEXFET功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻

每硅片面积。这样做的好处，结合快速

开关速度和加固装置的设计

这HEXFET功率MOSFET是众所周知

为，为设计者提供了一个非常

高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用

的应用程序。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率

耗散水平到约50瓦。该

低热阻和低封装成本

的TO-220向它的广泛接受

Pin1–Gate

Pin2–Drain

Pin3–Source

绝对最大额定值

参数

ID @ TC = 25°C

ID @ TC =

100°C

马克斯。

单位

连续漏电流， VGS @ 10V

漏电流脉冲

①

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

③

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

84.⑦

330

170

1.4

± 20

4.0

-55〜 + 175

°C

300 （ 1.6毫米从

情况下）

10磅•在（ 1.1N •m）的

W / ℃，

V / ns的

PD @TC = 25°C

dv / dt的

英镑

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