ET- 840
N沟道MOSFET
特点
■
■
■
■
■
R
DS （ ON）
（最大0.85
Ω
)@V
GS
=10V
栅极电荷（典型38NC ）
改进的dv / dt能力，高耐用性
100％的雪崩测试
最高结温范围（ 150 ° C）
符号
●
2.漏
1.门
◀
●
●
▲
3.源
概述
这是功率MOSFET采用积分先进的生产
平面条形， DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。这些器件非常适合
高效率开关DC / DC转换器，开关模式电源
电源，DC -AC转换器uninterruped电源，电机
控制权。
TO-220
1 2
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑，
T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
C
= 25
°C)
连续漏电流（ @T
C
= 100
°C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
C
= 25 °C)
高于25 ℃的降额因子
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的目的，
1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
（注1 ）
参数
价值
500
8.0
5.1
32
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
±
25
320
13.4
5.5
134
1.08
- 55 ~ 150
300
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件水槽
热阻，结到环境
价值
分钟。
-
-
-
典型值。
-
0.5
-
马克斯。
0.93
-
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
Ver.00/21.08.2009
IFP840-TSe.doc
第1页2
北京ESTEK ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
ESTEK [ Estek Electronics Co. Ltd ]
