通用晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流（峰值）
发射极电流（峰值）
基本电流（峰值）
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
I
BM
BC846
65
80
6.0
100
200
200
200
BC847
BC850
45
50
6.0
100
200
200
200
BC848
BC849
30
30
5.0
100
200
200
200
单位
V
V
V
MADC
MADC
MADC
MADC
BC846ALT1,BLT1
BC847ALT1,BLT1
CLT1通
BC850BLT1,CLT1
3
1
2
焊接特性
特征
耐焊热性
可焊性
符号
265
240〜 265
符号
P
D
225
1.8
R
θ
JA
P
D
556
300
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
2.4
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
单位
°C
°C
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
最大
单位
1
BASE
3
集热器
2
辐射源
器件标识
BC846ALT1 = 1A ; BC846BLT1 = 1B ; BC847ALT1 = 1E ; BC847BLT1 = 1F ;
BC847CLT1 = 1G ; BC848ALT1 = 1J ; BC848BLT1 = 1K ; BC848CLT1 = 1L
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10 mA）的
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10
µA,
V
EB
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
µA)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 1.0
µA)
收藏家Cuto FF电流
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A,B,C
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
5.0
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
v
V
（ BR ） CES
v
V
（ BR ） CBO
v
BC848A ， B，C ， BC849B ，C ，
BC850B,C
(V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
V
（ BR ） EBO
I
CBO
—
—
15
5.0
nA
µA
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
M3–1/4
ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
