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M1MA151AT1 参数 Datasheet PDF下载

M1MA151AT1图片预览
型号: M1MA151AT1
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内容描述: 单硅开关二极管 [Single Silicon Switching Diodes]
分类和应用: 二极管开关
文件页数/大小: 2 页 / 117 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
 浏览型号M1MA151AT1的Datasheet PDF文件第2页  
单硅开关二极管
这些硅外延平面二极管是专为使用
在超高速开关应用。这些设备是
住在SC -59封装,是专为低功耗
表面贴装应用。
快速吨
rr
, < 3.0纳秒
低C
D
, < 2.0 pF的
可在8毫米磁带和卷轴
使用M1MA151 / 2AT1责令7英寸/ 3000单元卷轴。
使用M1MA151 / 2AT3订购13英寸/ 10,000件卷轴。
阳极
3
3
M1MA151AT1
M1MA152AT1
SC- 59封装
单晶硅
开关二极管
40/80 V- 100毫安
表面贴装
2
1
318D -03 ,都市风情
SC–59
2
1
阴极未连接
最大R atings
(T
A
= 25°C)
等级
反向电压
峰值反向电压
正向电流
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
M1MA151AT1
M1MA152AT1
M1MA151AT1
M1MA152AT1
符号
V
R
V
RM
I
F
I
FM
I
FSM ( 1 )
Symbo
P
D
T
J
T
英镑
符号
I
R
V
F
价值
40
80
40
80
100
225
500
LMAX
200
150
-55到+150
40
80
最大
0.1
0.1
1.2
2.0
3.0
单位
VDC
VDC
MADC
MADC
MADC
单位
mW
°C
°C
单位
μAdc
VDC
VDC
pF
ns
热特性
等级
功耗
结温
储存温度
电气特性
(T
A
= 25°C)
特征
反向电压漏电流M1MA151AT1
M1MA152AT1
正向电压
反向击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
1, T = 1秒
2. t
rr
测试电路
M1MA151AT1
M1MA152AT1
条件
V
R
= 35 V
V
R
= 75 V
I
F
= 100毫安
I
R
= 100
µA
V
R
= 0中,f = 1.0兆赫
I
F
= 10 mA时, V
R
= 6.0 V,
R
L
= 100Ω, I
rr
= 0.1 I
R
V
R
C
D
t
rr (2)
H1–1/2