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MBT3906DW1T1 参数 Datasheet PDF下载

MBT3906DW1T1图片预览
型号: MBT3906DW1T1
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内容描述: 双路通用晶体管 [Dual General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 10 页 / 720 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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MBT3904DW1T1 , MBT3906DW1T1 , MBT3946DW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明) (续)
特征
输入阻抗
(V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0 MADC , F = 1.0千赫)
(V
CE
= -10伏直流,我
C
= -1.0 MADC , F = 1.0千赫)
电压反馈比例
(V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0 MADC , F = 1.0千赫)
(V
CE
= -10伏直流,我
C
= -1.0 MADC , F = 1.0千赫)
小信号电流增益
(V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0 MADC , F = 1.0千赫)
(V
CE
= -10伏直流,我
C
= -1.0 MADC , F = 1.0千赫)
输出导纳
(V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0 MADC , F = 1.0千赫)
(V
CE
= -10伏直流,我
C
= -1.0 MADC , F = 1.0千赫)
噪声系数
(V
CE
= 5.0伏,我
C
= 100
μAdc ,
R
S
= 1.0 ķ W, F = 1.0千赫)
(V
CE
= -5.0伏,我
C
= –100
μAdc ,
R
S
= 1.0 ķ W, F = 1.0千赫)
MBT3904DW1T1 ( NPN )
MBT3906DW1T1 ( PNP )
h
re
MBT3904DW1T1 ( NPN )
MBT3906DW1T1 ( PNP )
h
fe
MBT3904DW1T1 ( NPN )
MBT3906DW1T1 ( PNP )
h
oe
MBT3904DW1T1 ( NPN )
MBT3906DW1T1 ( PNP )
NF
MBT3904DW1T1 ( NPN )
MBT3906DW1T1 ( PNP )
5.0
4.0
1.0
3.0
40
60
dB
100
100
400
400
μmhos
0.5
0.1
8.0
10
符号
h
ie
1.0
2.0
10
12
X 10
–4
最大
单位
k
开关特性
延迟时间( V
CC
= 3.0伏,V
BE
= -0.5 V直流)
(V
CC
= -3.0伏,V
BE
= 0.5伏)
上升时间(我
C
= 10 MADC ,我
B1
= 1.0 MADC )
(I
C
= -10 MADC ,我
B1
= -1.0 MADC )
存储时间(V
CC
= 3.0伏,我
C
= 10 MADC )
(V
CC
= -3.0伏,我
C
= -10 MADC )
下降时间(我
B1
= I
B2
= 1.0 MADC )
(I
B1
= I
B2
= -1.0 MADC )
MBT3904DW1T1 ( NPN )
MBT3906DW1T1 ( PNP )
MBT3904DW1T1 ( NPN )
MBT3906DW1T1 ( PNP )
MBT3904DW1T1 ( NPN )
MBT3906DW1T1 ( PNP )
MBT3904DW1T1 ( NPN )
MBT3906DW1T1 ( PNP )
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
35
35
200
225
50
70
ns
ns
ns
ns
MBT3904–3/12