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MMBV2109LT1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBV2109LT1
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内容描述: 硅调谐二极管 [Silicon Tuning Diode]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 3 页 / 123 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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硅调谐二极管
这些设备中流行的塑料设计PACK-
年龄FM收音机高volumerequirements和电视调谐和
AFC ,通用变频器的控制andtuning applications.They亲
在更换机械调谐的韦迪固态可靠性
的方法。在表面贴装封装也可高达33pF的。
高Q值
控制和统一调谐比
标准电容容差
—10%
完整的典型的设计曲线
MMBV2101LT1
MMBV2103LT1
MMBV2105LT1
MMBV2107LT1
MMBV2108LT1
MMBV2109LT1
6.8-100p
30伏特
可变电压
容二极管
3
阴极
1
阳极
3
1
2
318-08 ,风格8
SOT- 23 ( TO- 236AB )
最大额定值(每个二极管)
等级
反向电压
正向电流
器件耗散@T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
F
P
D
M·V 2 1 X X MMBV21XXLT1单位
30
200
280
2.8
+150
-55到+150
225
1.8
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
T
J
T
英镑
器件标识
MMBV2101LT1=M4G
MMBV2103LT1=4H
MMBV2105LT1=4U
MMBV2107LT1=4W
MMBV2108LT1=4X
MMBV2109LT1=4J
符号
V
( BR )R
I
R
T
CC
30
典型值
280
最大
0.1
单位
VDC
μAdc
PPM /°C的
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
=1.0µAdc)
反向电压漏电流
(V
R
=25Vdc,T
A
=25°C)
二极管电容温度系数
(V
R
=4.0Vdc,f=1.0MHz)
I6–1/3