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MMBV809 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBV809
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内容描述: 硅调谐二极管 [Silicon Tuning Diode]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 102 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
 浏览型号MMBV809的Datasheet PDF文件第2页  
硅调谐二极管
该器件是专为900 MHz的频率控制
和调整应用程序。它提供固态可靠性
更换机械调谐方法。
控制和统一调谐比
可在表面贴装封装
可在8毫米磁带和卷轴
1
MMBV809LT1
3
1
阳极
(
3
阴极
2
CASE 318-08 ,风格8
SOT- 23 ( TO- 236AB )
最大额定值(每个二极管)
等级
反向电压
正向电流
设备损耗
(1)
@T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
F
P
D
T
J
T
英镑
价值
20
20
225
1.8
+125
-55到+150
单位
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
器件标识
MMBV809LT1=5K
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
=10µAdc)
反向电压漏电流
(V
R
=15Vdc)
符号
V
( BR )R
I
R
20
最大
50
单位
VDC
NADC
C
T
二极管电容
设备类型
V
R
=2.0Vdc,f=1.0MHz
pF
MMBV809LT1
4.5
Q,优异的图
V
R
=3.0Vdc
f=500MHz
典型值
75
C
R
,电容比
C
2
/ C
8
f=1.0MHz(2)
1.8
典型值
5.3
最大
6.1
最大
2.6
1, FR- 5局1.0× 0.75× 0.62英寸
2. C
R
是C的比
t
在2.0伏直流电测量划分为C
t
在8.0伏直流电测
I5–1/2