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MMUN2211RLT1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMUN2211RLT1
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内容描述: 偏置电阻晶体管 [Bias Resistor Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 269 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管,
单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统(偏置电阻晶体管)包含一个
晶体管与单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极resistor.The BRT消除了这些单独的部件
通过将它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统
成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT-23封装是
专为低功率表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装,可以使用波焊接或
回流。修改后的鸥翼引线吸收热
焊接时的应力消除的可能性
损坏模具。
可在8毫米压纹卷带包装。使用
设备号订购的7英寸/ 3000单元卷轴。
替换“ T1”与“ T3 ”的设备号命令
13英寸/ 10,000件卷轴。
PIN1
BASE
(输入)
R1
R2
PIN2
辐射源
(接地)
PIN3
集热器
(输出)
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RL34
NPN硅
偏置电阻
晶体管
3
1
2
CASE 318-08 ,风格6
SOT- 23 ( TO- 236AB )
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
(1)
减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
D
价值
50
50
100
200
1.6
价值
625
-65到+150
260
10
R1 ( K)
10
22
47
10
10
4.7
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
单位
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
R2 ( K)
10
22
47
47
热特性
等级
热电阻 - 结到环境(表面贴装)
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的
在焊接洗澡时间
符号
R
θJA
T
J
, T
英镑
T
L
器件标识和电阻值
设备
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
(2)
MMUN2216RLT1
(2)
记号
A8A
A8B
A8C
A8D
A8E
A8F
MMUN2230RLT1
(2)
A8G
1
(2)
A8H
2.2
MMUN2231RLT1
(2)
MMUN2232RLT1
A8J
4.7
(2)
MMUN2233RLT1
A8K
4.7
MMUN2234RLT1
(2)
A8L
22
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
1
2.2
4.7
47
47
8 8
Q2–1/8