低饱和电压
PNP硅晶体管驱动器
在绿线的一部分
TM
投资组合与节能特性的设备。
这PNP硅外延平面型晶体管的设计在节约能源
通用驱动器应用。此装置被安置在SOT-23和
SC - 59封装这是专为低功耗表面贴装应用。
•低V
CE （ SAT ）
， < 0.1 V为50mA
应用
• LCD背光驱动器
•报警器驱动程序
•一般输出设备驱动程序
1
2
MMBT1010LT1
MSD1010T1
PNP一般
目的DRIVER
晶体管
表面贴装
3
最大额定值（T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
CASE 318-08 ，风格6
价值
45
15
5.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
SOT- 23
3
I
C
热特性
特征
功耗
T
A
=25 °C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温
存储温度范围
R
θJA
T
J
T
英镑
2
符号
P
D
(1)
最大
250
1.8
556
150
–55 —+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
CASE 318D -04 ，风格1
SC- 59
集热器
器件标识
MMBT1010LT1 = GLP ; MSD1010T1 = GLP
BASE
辐射源
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE1
(2)
V
CE （ SAT ）
(2)
条件
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
E
= 10
μA ，我
E
= 0
V
CB
= 20 V，I
E
= 0
V
CE
= 10 V，I
B
= 0
V
CE
= 5 V，I
C
= 100毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安
民
15
5.0
—
—
300
—
—
—
最大
—
—
0.1
100
600
0.1
0.1
0.19
1.1
单位
VDC
VDC
µA
µA
—
VDC
基射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
(2)
VDC
（1）装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度<300
µs,
D.C <2 ％ 。
O3–1/1
ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
