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型号: MUN2111RT1
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内容描述: 偏置电阻晶体管 [Bias Resistor Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 282 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管,
单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个设备和
其外部电阻偏置网络。快速公交系统(偏置电阻晶体管)中含有
与单片偏置网络包括两个电阻单个晶体管;系列
基极电阻和基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别
部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在所述SC- 59包
这是专为低功耗表面贴装应用。
•简化电路设计
- 减少电路板空间
•减少元件数量
•在SC- 59封装可以采用波或回流焊接。
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除了损坏模具的可能性。
•提供8毫米压纹带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
PIN3
集热器
(输出)
MUN2111RT1
MUN2112RT1
MUN2113RT1
MUN2114RT1
MUN2115RT1
MUN2116RT1
MUN2130RT1
MUN2131RT1
MUN2132RT1
MUN2133RT1
MUN2134RT1
PNP硅
偏置电阻
晶体管
3
PIN2
BASE
(输入)
R1
R2
1
2
PIN2
辐射源
(接地)
CASE 318-03 ,风格1
( SC - 59 )
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
(1)
减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
D
价值
50
50
100
200
1.6
价值
625
-65到+150
260
10
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
单位
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
热特性
等级
热电阻 - 结到环境(表面贴装)
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的
在焊接洗澡时间
符号
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
T
L
器件标识和电阻值
设备
记号
R1 ( K)
R2 ( K)
MUN2111RT1
6A
10
10
MUN2112RT1
6B
22
22
MUN2113RT1
6C
47
47
MUN2114RT1
6D
10
47
(2)
6E
10
MUN2115RT1
MUN2116RT1
(2)
6F
4.7
6G
1.0
1.0
MUN2130RT1
(2)
(2)
MUN2131RT1
6H
2.2
2.2
MUN2132RT1
(2)
6J
4.7
4.7
MUN2133RT1
(2)
6K
4.7
47
MUN2134R T1
(2)
6L
22
47
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
8 8
P1–1/7