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MUN5230DW1T1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MUN5230DW1T1
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内容描述: 双偏置ResistorTransistors [Dual Bias ResistorTransistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 501 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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双偏置ResistorTransistors
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
快速公交系统(偏置电阻晶体管)包含了一个整体偏向单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。这些
数字晶体管被设计为替代单一的设备及其外部电阻偏置网络。
BRT的通过将它们集成到单个设备中消除了这些单独的部件。在
该MUN5211DW1T1系列, 2 BRT设备被容纳在SOT -363封装该
非常适合于低功耗表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。
•简化电路设计
- 减少电路板空间
•减少元件数量
•提供8毫米, 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
MUN5211DW1T1
系列
6
5
4
1
2
3
SOT-363
CASE 419B样式1
6
5
4
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,常见的Q
1
和Q
2
)
等级
符号价值
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
50
VDC
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
50
VDC
集电极电流
I
C
100
MADC
热特性
特征
(一路口加热)
符号
最大
单位
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
(两个路口加热)
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度
1. FR-4 @最低垫
P
D
187 (注1 )
256 (注2 )
1.5 (注1 )
2.0 (注2 )
670 (注1 )
490 (注2 )
mW
毫瓦/°C的
° C / W
Q
2
R
2
R
1
1
2
R
1
R
2
Q
1
3
标记图
6
5
4
7X
1
2
3
R
θJA
7X =器件标识
=
(见第2页)
符号
P
D
最大
250 (注1 )
385 (注2 )
2.0 (注1 )
3.0 (注2 )
493 (注1 )
325 (注2 )
188 (注1 )
208 (注2 )
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
器件标识
信息
查看具体信息标记
该设备的第2页上的标记表
此数据表。
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
MUN5211dw–1/8