双偏置电阻晶体管
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个单片偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。这些数字转录
电阻取值被设计成代替单个设备及其外部电阻偏置网络。快速公交
通过将它们集成到单个设备中消除了这些单独的部件。在
MUN5311DW1T1系列，两个互补的BRT装置被收容在SOT -363包
这是理想的低功率表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。
•简化电路设计
- 减少电路板空间
•减少元件数量
•提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
1
2
3
MUN5311DW1T1
系列
6
5
4
SOT-363
CASE 419B样式1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
6
5
4
和Q
2
- 减号为Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度
1. FR-4 @最低垫
符号价值
V
CBO
50
V
首席执行官
50
I
C
100
单位
VDC
VDC
MADC
Q
2
R
2
R
1
1
2
R
1
R
2
Q
1
3
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
标记图
6
5
4
XX
1
2
3
R
θJA
670 （注1 ）
490 （注2 ）
XX =器件标识
=
（见第2页）
符号
P
D
最大
250 （注1 ）
385 （注2 ）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2 ）
493 （注1 ）
325 （注2 ）
188 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
器件标识
信息
查看具体信息标记
该设备的第2页上的标记表
此数据表。
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
MUN5311dw–1/13
ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
