EtronTech
特点
•
2.7V的单电源电压为3.6V
•
使用CE1 ＃和CE2关机功能
•
低工作电流： （最大为70纳秒） 25毫安
•
最大待机电流： 10
µA
在3.6 V
•
数据保持电源电压： 1.5V至3.6V
•
所有输入和输出直接TTL兼容
•
宽工作温度范围： -40 ° C至85°C
•
封装形式： 36球TFBGA封装， 6x8mm
EM562081
256K ×8低功耗SRAM
初步的，版本1.0 7/2001
置为低电平。有三个控制输入。 CE1 ＃和
CE2分别用于选择设备和数据保留
控制和输出使能（ OE ＃ ）提供了快速记忆
访问。数据字节控制引脚（ LB ＃ ， UB ＃ ）为低
和高位字节访问。该装置非常适合于
各种微处理器系统应用中高
速度快，低功耗和备用电池是必需的。而且，
以保证工作范围为-40 ° C至85°C ，
的EM562081可以在显示环境中使用
极端的温度条件。
引脚分配
订购信息
产品型号
EM562081BC-70
EM562081BC-85
速度
70纳秒
85纳秒
I
DDS2
10
µA
10
µA
包
6×8 BGA
6×8 BGA
1. 36球BGA （ CSP ） ，顶视图
1
2
3
4
5
6
A
A0
A1
CE 2
A3
A6
A8
引脚名称
符号
A0 - A17
DQ0-DQ7
CE1#,CE2
OE ＃
WE＃
GND
VDD
NC
B
DQ 4
A2
WE＃
A4
A7
DQ 0
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
OUTPUT ENABLE
读/写控制输入
地
C
DQ 5
NC
A5
DQ 1
D
摹ND
V DD
E
V DD
摹ND
F
DQ 6
NC
A1 7
DQ 2
G
DQ 7
Ø ê ＃
权证1 ＃
A16
A15
DQ 3
电源
无连接
H
A9
A1 0
A1 1
A12
A13
A14
概观
该EM562081是组织为2,097,152位SRAM
262,144字由8位。它的设计与先进的
CMOS技术。该设备从一个单一的操作
2.7V至3.6V电源供电。先进的电路
技术提供了高速和低功耗。它
自动放置在低功耗模式下，当芯片
使能（ CE1 ＃ ）为高电平或（ CE2 ）是
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