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EM562161BC-70 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM562161BC-70
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内容描述: 128K ×16的低功耗SRAM [128K x 16 Low Power SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 137 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
特点
2.7V的单电源电压为3.6V
使用CE1 #和CE2关机功能
低工作电流: 30毫安(最大为55纳秒)
最大待机电流: 10
µA
在3.6 V
数据保持电源电压: 1.5V至3.6V
所有输入和输出直接TTL兼容
宽工作温度范围: -40 ° C至85°C
封装形式: 48球TFBGA封装, 6x8mm
EM562161
128K ×16的低功耗SRAM
初步的,版本1.0
07/2001
电路技术提供了高速和低
力。它会自动放置在低功耗模式
当芯片使能( CE1 # )为高电平或( CE2 )是
置为低电平。有三个控制输入。 CE1 #和
CE2分别用于选择设备和用于数据
保持控制,并输出使能(OE # )提供
快速内存访问。数据字节控制引脚( LB # , UB # )
提供了下限和上限字节访问。该装置是
非常适合于各种微处理器系统
应用中的高速,低功耗和电池
备份是必需的。并且,有保证的操作
范围从-40 ° C到85° C时, EM562161可以使用
在环境中表现出极端的温度
条件。
订购信息
产品型号
EM562161BC-55
EM562161BC-70
速度
55纳秒
70纳秒
I
DDS2
10
µA
10
µA
6×8 BGA
6×8 BGA
引脚配置
48球BGA ( CSP ) ,顶视图
1
2
3
4
5
6
引脚说明
符号
A0 - A16
DQ0 - DQ15
# CE1 , CE2
OE #
WE#
LB # , UB #
GND
V
DD
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
OUTPUT ENABLE
读/写控制输入
数据字节控制输入
电源
无连接
A
磅#
Ø ê #
A0
A1
A2
CE 2
B
DQ 8
UB #
A3
A4
CE1 #
DQ 0
C
DQ 9
DQ 1 0
A5
A6
DQ 1
DQ 2
D
GN ð
DQ 1 1
NC
A7
DQ 3
VD ð
E
V DD
DQ 1 2
NC
A 16
DQ 4
摹ND
F
DQ 1 4
DQ 1 3
A 14
A 15
DQ 5
DQ 6
概观
该EM562161是组织为2,097,152位SRAM
131,072字由16位。它的设计与先进的
CMOS技术。该设备从一个单一的操作
2.7V至3.6V电源供电。先进
G
DQ 1 5
NC
A 12
A 13
WE#
DQ 7
H
NC
A8
A9
A 10
A1 1
NC
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