EtronTech
特点
•
2.3V的单电源电压为3.6V
•
使用CE1 ＃和CE2关机功能
•
低功耗
•
数据保持电源电压： 1.0V至3.6V
•
所有输入和输出直接TTL兼容
•
宽工作温度范围： -40 ° C至85°C
•
待机电流@ VDD = 3.6 V
I
DDS2
典型
EM564081BA/BC-70/85
EM564081BA/BC-70E/85E
1
µA
5
µA
最大
10
µA
80
µA
E
VDD
D
GND
C
DQ5
NC
A5
A
EM564081
512K ×8低功耗SRAM
初步的，版本0.7 01/2001
引脚配置
36球BGA （ CSP ） ，顶视图
1
2
3
4
5
6
A0
A1
CE2
A3
A6
A8
B
DQ4
A2
WE＃
A4
A7
DQ0
DQ1
VDD
GND
F
DQ6
A18
A17
DQ2
订购信息
G
DQ7
产品型号
EM564081BC-70
EM564081BC-70E
EM564081BA-70
EM564081BA-70E
EM564081BC-85
EM564081BC-85E
EM564081BA-85
EM564081BA-85E
速度
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
85纳秒
85纳秒
85纳秒
85纳秒
I
DDS2
10
µA
80
µA
10
µA
80
µA
10
µA
80
µA
10
µA
80
µA
包
6×8 BGA
6×8 BGA
8x10的BGA
8x10的BGA
6×8 BGA
6×8 BGA
8x10的BGA
8x10的BGA
H
A9
OE ＃
CE1#
A16
A15
DQ3
A10
A11
A12
A13
A14
引脚说明
符号
A0 - A18
DQ0 - DQ7
＃ CE1 ， CE2
OE ＃
WE＃
GND
V
DD
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
OUTPUT ENABLE
读/写控制输入
地
电源
无连接
概观
的EM564081是由8位， 512K一4194304位的SRAM 。它的设计与先进的CMOS
技术。该器件采用单2.3V至3.6V电源供电。先进的电路技术
同时提供高速和低功耗。它会自动放置在低功耗模式下，当芯片使能（ CE1 ＃ ）
被置为高电平或（ CE2 ）被置为低电平。有三个控制输入。 CE1 ＃ ，CE2分别用于选择
装置和用于数据保持控制，并输出使能（OE ＃ ）提供快速存储器的访问。该装置是
非常适合于各种微处理器系统的应用中的高速，低功耗和电池备份是
所需。并且，有保证的操作范围从-40 ℃至85 ℃时， EM564081可以在使用
环境表现出极端的温度条件。
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