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EM565161BA-70 参数 Datasheet PDF下载

EM565161BA-70图片预览
型号: EM565161BA-70
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内容描述: 512K ×16的低功耗SRAM [512K x 16 Low Power SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 792 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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ETR onTech
特点
单电源电压为2.3 〜 3.6 V
关机功能使用CE1 # , CE2 , LB #和
UB #
低功耗
数据保持电源电压: 1.0V至3.6V
所有输入和输出直接TTL兼容
宽工作温度范围: -40 ° C至85°C
待机电流(最大值) @ VDD = 3.6 V
产品型号
EM565161BA/BJ-55
EM565161BA/BJ-70
EM565161BA/BJ-55E/70E
EM565161
512K ×16的低功耗SRAM
初步的,版本0.9 01/2002
引脚分配
48球BGA ( CSP ) ,顶视图
1
2
3
4
5
6
A
磅#
OE #
A0
A1
A2
CE2
B
DQ8
UB #
A3
A4
CE1#
DQ 0
C
DQ9
DQ 10
A5
A6
DQ1
DQ 2
I
DDS2
典型
最大
2
µA
2
µA
14
µA
35
µA
25
µA
80
µA
D
GND
DQ 11
A17
A7
DQ3
VDD
E
VDD
DQ 12
GND
A16
DQ4
GND
F
DQ 14
DQ 13
A14
A15
DQ5
DQ 6
订购信息
产品型号
EM565161BJ-70
EM565161BA-70
EM565161BA-70E
EM565161BJ-55
EM565161BA-55
EM565161BA-55E
速度
70纳秒
70纳秒
70纳秒
55纳秒
55纳秒
55纳秒
I
DDS2
25
µA
25
µA
80
µA
35
µA
35
µA
80
µA
6X9 BGA
8x10的BGA
8x10的BGA
6X9 BGA
8x10的BGA
8x10的BGA
G
DQ 15
NC
A12
A13
宽E #
DQ 7
H
A18
A8
A9
A10
A11
NC
引脚名称
符号
A0 – A18
DQ0-DQ15
CE1#,CE2
OE #
WE#
LB # , UB #
GND
V
DD
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
OUTPUT ENABLE
读/写控制输入
数据字节控制输入
电源
无连接
概观
该EM565161是由16位组织为512K字的8M位的SRAM 。它的设计与先进的CMOS
技术。该器件采用单电源供电。先进的电路技术,提供高
速度和低功耗。它会自动放置在低功耗模式下,当CE1 #或两者UB #和LB #是
置为高电平或CE2为低电平。有三个控制输入。 CE1 # ,CE2分别用于选择
装置和用于数据保持控制,并输出使能(OE # )提供快速存储器的访问。数据字节控制
销( LB # , UB # )提供了下限和上限字节访问。该装置很适合于各种微处理器
系统应用中的高速,低功率和备用电池是必需的。并且,以保证
经营范围为-40 ° C至85° C时, EM565161可以表现出极端的环境中使用
温度条件。
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