ETR onTech
特点
•
由16位组织为1兆字
•
快速周期时间： 70ns的
•
待机电流： 100uA的
•
深度掉电电流： 10微安（存储单元数据
无效）
•
字节的数据控制： LB ＃ （ DQ0 - 7 ） ，瑞银（ DQ8 - 15 ）
•
兼容低功耗SRAM
•
单电源电压： 3.0V ± 0.3V
•
封装类型： 48球FBGA封装， 6x8mm
EM566168
1M ×16的SRAM伪
初步的，版本0.2
2002年4月
引脚分配48球BGA ，顶视图
1
2
3
4
5
6
A
磅＃
OE ＃
A0
A1
A2
CE2
B
DQ8
UB ＃
A3
A4
CE1#
DQ0
C
DQ9
DQ10
A5
A6
DQ1
DQ2
引脚说明
符号
A0 – A19
DQ0 〜 DQ15
CE1#
CE2
OE ＃
WE＃
磅＃
UB ＃
V
CC
V
SS
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
深度掉电
OUTPUT ENABLE
写控制
低字节控制
高字节控制
电源
地
D
VSS
DQ11
A17
A7
DQ3
VCC
E
VCC
DQ12
NC
A16
DQ4
VSS
F
DQ14
DQ13
A14
A15
DQ5
DQ6
G
DQ15
A19
A12
A13
WE＃
DQ7
H
A18
A8
A9
A10
A11
NC
概观
该EM566168是由16位组织为1M字16M位的伪SRAM 。它的设计与先进的
CMOS技术规定的RAM ，具有低功耗静态RAM兼容的功能和引脚配置。这
器件采用单电源供电。先进的电路技术提供了高速和低
力。它会自动放置在低功耗模式下，当CS1 ＃或两者UB ＃和LB ＃被置为高电平或CS2
为低电平。有三个控制输入。 CS1 ＃和CS2用于选择该设备，和输出使能
（ OE ＃ ）提供了快速内存访问。数据字节控制引脚（ LB ＃ ， UB ＃ ）提供上下字节访问。
该装置非常适合于各种微处理器系统的应用中高速，低功耗和
备用电池是必需的。并且，以保证宽的工作范围内，则EM566168可以在使用
环境表现出极端的温度条件。
引脚位置
符号
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
位置
A3
A4
A5
B3
B4
C3
C4
D4
符号
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
位置
H2
H3
H4
H5
G3
G4
F3
F4
符号
A16
A17
A18
A19
NC
DQ0
DQ1
DQ2
位置
E4
D3
H1
G2
H6
B6
C5
C6
符号
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
位置
D5
E5
F5
F6
G6
B1
C1
C2
符号
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CE1#
CE2
OE ＃
位置
D2
E2
F2
F1
G1
B5
A6
A2
符号
WE＃
磅＃
UB ＃
VCC
VCC
GND
GND
NC
位置
G5
A1
B2
D6
E1
D1
E6
E3
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