EtronTech
特点
•
16位组织为2M的话
•
快速循环时间：60 /65/ 70 / 85ns
•
快速页面周期时间：18 /20/ 25 / 30ns的
•
第8个字的读操作
•
待机电流（ ISB1 ） ：为100uA
•
深度掉电电流： 10微安（存储单元数据
无效）
•
字节的数据控制： LB ＃ （ DQ0 - 7 ） ，瑞银（ DQ8 - 15 ）
•
兼容低功耗SRAM
•
单电源电压： 3.0V ± 0.3V
•
封装类型： 48球FBGA封装， 6x8mm
EM567169BC
2M ×16伪SRAM
修订版0.6 2004年4月
垫分配
1
2
3
4
5
6
A
磅＃
OE ＃
A0
A1
A2
CE2
B
DQ8
UB ＃
A3
A4
CE1#
DQ0
C
DQ9
DQ10
A5
A6
DQ1
DQ2
D
VSS
DQ11
A17
A7
DQ3
VCC
订购信息
产品型号
EM567169BC-60/65/70/85
E
VCC
DQ12
NC
A16
DQ4
VSS
速度快（纳秒）
60/65/70/85
F
DQ14
DQ13
A14
A15
DQ5
DQ6
引脚说明
符号
A0 – A20
DQ0 〜 DQ15
CE1#
CE2
OE ＃
WE＃
磅＃
UB ＃
V
CC
/V
CCQ
V
SS
/V
SSQ
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
待机模式
OUTPUT ENABLE
写控制
低字节控制
高字节控制
电源
地
G
DQ15
A19
A12
A13
WE＃
DQ7
H
A18
A8
A9
A10
A11
A20
概观
该EM567169是由16位组织为1M字32M位的伪SRAM 。它的设计与先进的
CMOS技术规定的RAM ，具有低功耗静态RAM兼容的功能和引脚配置。
该器件采用单电源供电。先进的电路技术提供了高速和
低功耗。它会自动放置在低功耗模式下，当CE1 ＃或两者UB ＃和LB ＃被置为高电平或
CE2为低电平。有三个控制输入。 CE1 ＃ ，CE2分别用于选择该设备，并输出
启用（ OE ＃ ）提供了快速内存访问。数据字节控制引脚（ LB ＃ ， UB ＃ ）为低，高字节
访问。该装置非常适合于各种微处理器系统的应用中的高速，低功率
和需要备用电池。并且，以保证宽的工作范围内，则EM567169可以在使用
环境表现出极端的温度条件。
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