EtronTech
特点
•
1.65V的单电源电压为1.95V
•
使用CE1 ＃和CE2关机功能
•
低功耗
•
数据保持电源电压： 0.9V至1.95V
•
所有输入和输出直接TTL兼容
•
宽工作温度范围： -40 ° C至85°C
•
待机电流@ VDD = 1.95 V
I
SB
最大
EM584161BA/BC-70/85
EM584161BA-70E/85E
8
µA
80
µA
D
GND
DQ11
A17
A7
EM584161
256K ×16低功耗SRAM
修订版2.0
引脚配置
48球BGA （ CSP ） ，顶视图
1
2
3
4
5
6
11/2003
A
磅＃
OE ＃
A0
A1
A2
CE2
B
DQ8
UB ＃
A3
A4
CE1#
DQ0
C
DQ9
DQ10
A5
A6
DQ1
DQ2
DQ3
VDD
E
VDD
DQ12
NC
A16
DQ4
GN ð
F
DQ14
DQ13
A14
A15
DQ5
DQ6
订购信息
产品型号
EM584161BC-70
EM584161BA-70
EM584161BA-70E
EM584161BC-85
EM584161BA-85
EM584161BA-85E
速度
70纳秒
70纳秒
70纳秒
85纳秒
85纳秒
85纳秒
I
SB
8
µA
8
µA
80
µA
8
µA
8
µA
80
µA
包
6×8 BGA
8x10的BGA
8x10的BGA
6×8 BGA
8x10的BGA
8x10的BGA
G
DQ15
NC
A12
A13
WE＃
DQ7
H
NC
A8
A9
A10
A11
NC
引脚说明
符号
A0 - A17
DQ0 - DQ15
＃ CE1 ， CE2
OE ＃
WE＃
LB ＃ ， UB ＃
GND
V
DD
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
OUTPUT ENABLE
读/写控制输入
数据字节控制输入
地
电源
无连接
概观
该EM584161是由16位组织为262,144字4,194,304位SRAM 。它的设计与先进的
CMOS技术。该器件采用单1.65V至1.95V的电源。先进的电路
技术提供了高速和低功耗。它会自动放置在低功耗模式下，当芯片
使能（ CE1 ＃ ）为高电平或（ CE2 ）被置为低电平。有三个控制输入。 ＃ CE1和CE2是
用于选择的装置和用于数据保持控制，并输出使能（OE ＃ ）提供了快速存储器的访问。
数据字节控制引脚（ LB ＃ ， UB ＃ ）提供了下限和上限字节访问。该装置很适合于各种
微处理器系统的应用中高速，低功率和备用电池是必需的。并且，用
保证工作范围为-40 ° C至85° C时， EM584161可以在展示环境中使用
极端的温度条件。
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