EtronTech
特点
快速访问时间： 4.5 / 5 /5 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒
快速时钟速率： 200/183/166/143/125/100兆赫
自刷新模式：标准模式和低功耗
内部流水线结构
512K字×16位×2银行
可编程模式寄存器
- CAS＃延迟： 1，2，或3个
- 突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
- 突发类型：交错式或线性爆裂
- 突发停止功能
•
通过LDQM和UDQM控制单个字节
•
自动刷新和自刷新
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4096刷新周期/ 64ms的
•
CKE断电模式
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JEDEC标准的+ 3.3V
±
0.3V电源
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接口： LVTTL
•
50引脚400密耳的塑料TSOP II封装
•
60球， 6.4x10.1mm VFBGA封装
•
无铅封装都可以使用TSOP II
和VFBGA
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EM636165
初步（ Rev.2.7 3月/ 2006）
订购信息
产品型号
EM636165TS/VE-5
EM636165TS/BE-5G
EM636165TS/VE-55
EM636165TS/BE-55G
EM636165TS/VE-6
EM636165TS/BE-6G
EM636165TS/VE-7
EM636165TS/BE-7G
EM636165TS/VE-7L
EM636165TS/BE-7LG
EM636165TS/VE-8
EM636165TS/BE-8G
EM636165TS/VE-10
EM636165TS/BE-10G
G：表示无铅封装
频率
200MHz
200MHz
183MHz
183MHz
166MHz
166MHz
143MHz
143MHz
143MHz
143MHz
125MHz
125MHz
100MHz
100MHz
包
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
1Mega ×16同步DRAM （SDRAM）的
关键的特定连接的阳离子
EM636165
t
CK3
t
RAS
t
AC3
t
RC
时钟周期时间（min 。 ）
行有效时间（最大）
存取时间从CLK （最大）
行周期时间（min 。 ）
-5/55/6/7/7L/8/10
5/5.5/6/7/7/8/10ns
30/32/36/42/42/48/60 NS
4.5 / 5 /5 / 5.5 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒
48/48/54/63/63/72/90 NS
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6号，科技路V，科学工业园区，台湾新竹30077 ， ROC
电话： （ 886 ） -3-5782345
传真： （ 886 ） -3-5778671
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