等ronTech
特点
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快速访问时间： 4.5 / 5 /5 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒
快速时钟速率： 200/183/166/143/125/100兆赫
自刷新模式：标准模式和低功耗
完全同步操作
内部流水线结构
512K ×16位×2银行
可编程模式寄存器
- CAS＃延迟： 1，2，或3个
- 突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
- 突发类型：交错式或线性爆裂
- 突发停止功能
通过LDQM和UDQM控制单个字节
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
CKE断电模式
+ 3.3V单
±
0.3V电源
接口： LVTTL
50引脚400密耳的塑料TSOP II封装
60球，6.4毫米× 10.1毫米VFBGA封装
（最大总包方高度= 1.0 MM）
EM636165
1Mega ×16同步DRAM （SDRAM）的
初步（修订版1.8 ， 11/2001 ）
关键的特定连接的阳离子
EM636165
-5/55/6/7/7L/8/10
5 / 5.5 / 6 /7/ 7/8/ 10纳秒
30/32/36/42/42/48/60 NS
4.5 / 5 /5 / 5.5 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒
48/48/54/63/63/72/90 NS
t
CK3
t
RAS
t
AC3
t
RC
时钟周期时间（min 。 ）
行有效时间（最大）
从CLK访问时间
（ MAX 。 ）
行周期时间（min 。 ）
订购信息
1.工作温度： 0 〜70°C
产品型号
EM636165TS/VE-5
EM636165TS/VE-55
EM636165TS / VE -6
EM636165TS / VE -7
EM636165TS/VE-7L
EM636165TS / VE -8
EM636165TS / VE -10
频率
200MHz
183MHz
166MHz
143MHz
143MHz
125MHz
100MHz
包
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
TSOP II ， VFBGA
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2.工业工作温度： -40〜 85°C
产品型号
EM636165TS / VE -10I
频率
100MHz
包
TSOP II ， VFBGA
引脚配置（顶视图）
V
DD
DQ 0
DQ 1
V
S SQ
DQ 2
DQ 3
V
DDQ
DQ 4
DQ 5
V
S SQ
DQ 6
DQ 7
V
DDQ
LD Q·M·
WE＃
CA中＃
RA S ＃
CS ＃
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
VSS
ð问题15
ð问题14
V
S SQ
ð Q 13
ð Q 12
V
DDQ
ð Q 11
ð Q 10
V
S SQ
DQ 9
DQ 8
V
DDQ
NC
UD QM
CL ķ
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
1
2
3
4
5
6
7
A
VSS
DQ 15
DQ0
VDD
B
DQ 14
VSSQ
VDDQ
DQ1
C
DQ 13
VDDQ
VSSQ
DQ2
D
DQ 12
DQ 11
DQ4
DQ3
E
DQ 10
VSSQ
VDDQ
DQ5
F
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
G
DQ8
NC
NC
DQ7
H
NC
NC
NC
NC
J
NC
UDQM
LDQ M
宽E ＃
K
NC
CLK
RAS ＃
CAS ＃
L
CKE
NC
NC
CS ＃
M
A11
A9
NC
NC
N
A8
A7
A0
A10
P
A6
A5
A2
A1
R
VSS
A4
A3
VDD
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