EtronTech
T0
T1
T2
1Mega ×32 SGRAM
EM637327
成高阻抗在脉冲串的末端，除非其它命令被启动。脉冲串长度，
脉冲串序列，和CAS ＃延迟是由模式寄存器，这是已经确定的
编程。一个全页突发将持续到结束（在页面就会换到年底
第0列，并继续） 。
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
COM命令
读了
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 1
TCK1 ， DQ的
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
突发读取操作
（突发长度= 4 ，CAS＃延迟= 1，2， 3）
所读取的数据出现在的DQ受上DQM的值输入两个时钟更早
（即DQM延迟两个时钟输出缓冲）。爆没有自动预充电功能的读
可以通过后续的读或中断写/块写命令在同一银行或
突发长度结束前其他活动的银行。它可以由一个BankPrecharge /中断
PrechargeAll命令相同的银行了。中断从读命令来能
接着前Read指令（参照下图）上发生的任何时钟周期。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
COM命令
读了
阅读B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 1
TCK1 ， DQ的
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
阅读打断读
（突发长度= 4 ，CAS＃延迟= 1，2， 3）
在DQM投入使用，以避免对DQ引脚I / O争用时，中断到来
从写/块写命令。该DQMs必须置位（高电平）的至少两个时钟之前
写/块写命令镇压数据输出到DQ引脚。为了保证DQ引脚
针对I / O争用，用高阻抗的DQ引脚单周期必须的发生
最后读数据和写/块写命令（参考下面的三个数字） 。如果数据
读出的脉冲串的输出发生在突发写入的第二时钟，所述DQMs必须置
（高）的至少一个时钟前的写/块写命令，以避免内部总线争用。
初步
7
1999年8月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
