EtronTech
T0
CLK
T1
T2
1Mega ×32 SGRAM
EM637327
T6
T7
T8
先读出的数据显示在输出（参见下图） 。一旦读命令是
注册时，数据输入将被忽略，并且写操作不被执行。
T3
T4
T5
COM命令
NOP
写一个
阅读B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 1
TCK1 ， DQ的
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DIN A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DIN A0
不关心
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DIN A0
不关心
不关心
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
输入数据的写入被屏蔽。
输入数据必须从DQ的至少一个时钟被删除
循环读取数据之前出现在输出端，以避免
数据争用。
写了一个读取中断
（突发长度= 4 ，CAS＃延迟= 1，2， 3）
该BankPrecharge / PrechargeAll命令中断写突发而不汽车
应发出预充电功能
m
在时钟沿之后的周期中的最后一个数据项元素
被登记，其中
m
等于吨
WR
/t
CK
向上舍入到下一个整数。此外， DQM
信号必须使用的最后的数据在下面的掩蔽输入数据，从时钟边沿
元件和与该时钟边沿在其上BankPrecharge / PrechargeAll命令是结束
输入（参见下图） 。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
DQM
激进党
COM命令
写
NOP
预充电
NOP
NOP
激活
NOP
地址
BA N·K
COL ñ
DIN
n
DIN
n+ 1
BANK （S ）
tWR的
ROW
DQ
：无所谓
注意：
该DQMs可以保持低在本例中，如果的写入脉冲串的长度是1或2 。
写入预充电
当选择了连拍-读单写模式中，写脉冲串长度为1 ，无论
所读取的突发长度（参照图21和22中的时序波形） 。
8
块写命令
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "L" ， DSF = "H" ， BS =银行， A8 = "L" ， A3 ， A7 =列地址，
DQ0 - DQ31 = COLUMN面膜）
块写操作都是非突发访问的写入同时第八栏的位置。一
单个数据值，这是以前在颜色寄存器加载，被写入的8块
通过输入A3 〜 A7处理连续列的位置。上它们是的DQ的信息
初步
11
1999年8月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
