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EM637327TQ-7 参数 Datasheet PDF下载

EM637327TQ-7图片预览
型号: EM637327TQ-7
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内容描述: 1Mega ×32 SGRAM [1Mega x 32 SGRAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 78 页 / 1161 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
特点
EM637327
1Mega ×32 SGRAM
初步( 08/99 )
引脚配置(顶视图)
DQ29
V
SSQ
DQ30
DQ31
V
SS
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DD
DQ0
DQ1
V
SSQ
DQ2
从时钟的快速存取时间: 4.5 / 5.5 / 5.5 / 6纳秒
快速时钟速率: 200/166/143/125 MHz的
完全同步操作
内部流水线结构
双内置银行( 512K X 32位X 2bank )
可编程模式
- CAS#延迟: 1,2,或3个
- 突发长度: 1 , 2 , 4 , 8 ,或整页
- 突发类型:交错式或线性爆裂
- 突发读单写
- 加载彩色或屏蔽寄存器
突发停止功能
通过DQM0-3控制单个字节
块写,写每比特的能力
自动刷新和自刷新
2048刷新周期/ 32ms的
+ 3.3V单
±
0.3V电源
接口: LVTTL
JEDEC 100引脚塑料封装
- QFP (机身厚度=高度仅2.8mm)
- TQFP1.4 (机身厚度= 1.4毫米)
81
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98
99
100
DQ 3
V
DDQ
DQ 4
DQ 5
V
SSQ
DQ 6
DQ 7
V
DDQ
DQ16
DQ17
V
SSQ
DQ18
DQ19
V
DDQ
V
DD
V
SS
DQ20
DQ21
V
SSQ
DQ22
DQ23
V
DDQ
DQ M0
DQ M2
WE#
CA中#
RA S #
CS 0 #
BS
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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55
54
53
52
51
DQ28
V
DDQ
DQ27
DQ26
V
SSQ
DQ25
DQ24
V
DDQ
DQ15
DQ14
V
SSQ
DQ13
DQ12
V
DDQ
V
SS
V
DD
DQ11
DQ10
V
SSQ
DQ 9
DQ 8
V
DDQ
NC
DQ M3
DQ M1
CL ķ
CKE
DSF
NC
A8 ( AP)
概观
该EM637327 SGRAM是一个高速CMOS
同步图形DRAM含有32兆比特。这是
内部配置为双512K ×32 DRAM用
同步接口(所有信号被登记在
时钟信号CLK )的上升沿。每个
512K ×32位的银行组织2048行,256
列由32位。读取和写入访问到
SGRAM被爆导向;存取开始以选定
位置和持续的编程号码
地点在编程序列。访问开始
有BankActivate命令注册该
随后是一个读或写命令。
该EM637327提供了可编程只读
或写入的1,2, 4,8,或整页突发的长度,用
突发终止选项。自动预充电功能
可被使能,以提供一个自定时行预充电
被引发的脉冲串序列的末端。该
刷新功能,自动或自刷新容易
以使用。
通过具有可编程的模式寄存器,所述
系统可以选择最合适的模式,以
最大限度地发挥其性能。这些装置是公
适合需要高内存的应用
带宽。
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
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36
35
34
33
32
31
A7
A6
A5
A4
V
SS
A10
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DD
A3
A2
A1
A0
关键的特定连接的阳离子
EM637327
- 5/6/7/8
5/6/7/8 NS
25/30/35/40 NS
4.5 / 5.5 / 5.5 / 6纳秒
55/60/63/72 NS
t
CK3
t
RAS
t
AC3
t
RC
时钟周期时间(min 。 )
行有效时间(最大)
存取时间从CLK (最大)
行周期时间(min 。 )
订购信息
产品型号
EM637327Q-5
EM637327TQ-5
EM637327Q-6
EM637327TQ-6
EM637327Q-7
EM637327TQ-7
EM637327Q-8
EM637327TQ-8
频率
200兆赫
200兆赫
166兆赫
166兆赫
143兆赫
143兆赫
125兆赫
125兆赫
QFP
TQFP1.4
QFP
TQFP1.4
QFP
TQFP1.4
QFP
TQFP1.4
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