EtronTech
COMMANDS
1
1Mega ×32 SGRAM
EM637327
BankActivate &蒙面写禁止命令
（ RAS ＃ = "L" ， CAS＃ = "H" ， WE＃ = "H" ， DSF = "L" ， BS =银行， A0 - A10 =行地址）
该BankActivate命令激活由BS （库选择）信号在指定的闲置银行。
通过锁存上的A0行地址至A9 ，在该命令的时间，所选择的行的访问是
发起。在同一存储体的读或写操作可以吨的一个时间延迟之后发生
RCD
（分）
从银行启动的时间。随后BankActivate命令，在不同的行
以前的活动行已被预充电之后同一银行只能发出（参见
如下图所示） 。连续BankActivate之间的最小时间间隔命令到
同一家银行是由T定义
RC
（分钟） 。该SGRAM具有两个内部银行在同一芯片上，并
共享的内部电路以减小芯片面积的一部分;因此它限制了背到背
激活这两个银行。吨
RRD
（分钟）指定激活之间所需的最小时间
不同的银行。之后使用此命令，写命令和块写命令
执行不带掩码写入操作。
T0
T1
T2
T3
..............
银行
行地址。
RAS ＃ - ＃ CAS延迟（
t
RCD
)
银行
COL地址。
..............
B组
行地址。
RAS ＃ - RAS ＃延迟时间（
t
RRD
)
R / W与
Autoprecharge
Tn+3
Tn+4
Tn+5
Tn+6
CLK
地址
银行
行地址。
COM命令
银行
激活
NOP
NOP
..............
B组
激活
NOP
NOP
银行
激活
RAS ＃循环时间（
t
RC
)
Autoprecharge
开始
： "H"或"L"
BankActivate指令周期
（突发长度= N ， CAS＃延迟= 3 ）
2
BankActivate &蒙面写使能命令（参见上图）
（ RAS ＃ = "L" ， CAS＃ = "H" ， WE＃ = "H" ， DSF = "H" ， BS =银行， A0 - A10 =行地址）
该BankActivate命令激活由BS信号指定的闲置银行。在此之后
命令被执行时，写命令和块写命令执行的掩蔽
写操作。在掩蔽的写入和掩蔽块写入功能，在I / O掩码数据
被存储在写屏蔽寄存器被使用。
BankPrecharge命令
（ RAS ＃ = "L" ， CAS＃ = "H" ， WE＃ = "L" ， DSF = "L" ， BS =银行， A8 = "L" ， A0 -A7 ， A9 ， A10 =无关）
该BankPrecharge命令通过预充电BS信号disignated银行。预充电
银行从激活状态转换到空闲状态。此命令可以在任何时间之后断言
t
RAS
（分钟）是从银行所需的BankActivate命令满意。的最大时间的任何
银行可以为t指定的活动
RAS
（最大） 。因此，在预充电功能，必须执行
在T内的任何有效的银行
RAS
（最大） 。在预充电结束时，预充电的银行仍处于空闲
状态，并准备再次被激活。
PrechargeAll命令
（ RAS ＃ = "L" ， CAS＃ = "H" ， WE＃ = "L" ， DSF = "L" ， BS =无关， A8 = "L" ， A0 -A7 ， A9 ， A10 =不
关心）的PrechargeAll命令预充电两家银行同时和可即使发出
两家银行都没有处于活跃状态。两个银行然后切换到空闲状态。
读命令
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "H" ， DSF = "L" ， BS =银行， A8 = "L" ， A0 - A7 =列地址）
读命令用于从活动突发读取在连续时钟周期的数据
排在一个活跃的银行。银行必须至少激活吨
RCD
（分钟）的读取命令之前
发行。在读阵阵，从起始列地址的有效数据输出的元素会
可用以下的读命令发出后的CAS ＃延迟。每个后续的数据 -
出元件将是有效的下一个时钟上升沿（参见下图） 。 DQS的去
3
4
5
初步
6
1999年8月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
