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EM638165TS-6 参数 Datasheet PDF下载

EM638165TS-6图片预览
型号: EM638165TS-6
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内容描述: 4Mega ×16同步DRAM (SDRAM)的 [4Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 71 页 / 1058 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
特点
从时钟的快速存取时间: 5/6/6/6/7 NS
快速时钟速率: 166/143/133/125/100 MHz的
完全同步操作
内部流水线结构
1M字×16位×4银行
可编程模式寄存器
- CAS #延迟: 2或3
- 突发长度: 1 , 2 , 4 , 8 ,或整页
- 突发类型:交错式或线性爆裂
- 突发停止功能
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
CKE断电模式
+ 3.3V单
±
0.3V电源
接口: LVTTL
54引脚400密耳的塑料TSOP II封装
EM638165
初步(修订版0.6 , 2/2001 )
4Mega ×16同步DRAM (SDRAM)的
引脚配置(顶视图)
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
WE#
CAS #
RAS #
CS #
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC / RFU
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
概观
该EM638165 SDRAM是高速CMOS
同步DRAM含有64兆比特。这是内部
配置为4银行1M字×16的DRAM与
同步接口(所有信号被登记在
时钟信号CLK )的上升沿。读取和写入
访问到SDRAM是迸发导向;访问
开始在一个选定的位置,并持续一段
在编程的位置设定的号码
序列。访问开始时的注册
BankActivate命令,然后接着是
读或写命令。
该EM638165提供了可编程只读
或写入的1,2, 4,8,或整页突发的长度,用
突发终止选项。自动预充电功能
可被使能,以提供一个自定时行预充电
被引发的脉冲串序列的末端。该
刷新功能,自动或自刷新容易
以使用。
通过具有可编程的模式寄存器,所述
系统可以选择最合适的模式,以
最大限度地发挥其性能。这些装置是公
适合需要高内存的应用
带宽和特别适合于高
高性能PC的应用程序。
关键的特定连接的阳离子
EM638165
-
6/7/7.5/8/10
6/7 / 7.5 / 8/ 10纳秒
5 / 5.4 / 5.4 / 6/7 NS
42/45/45/48/50 NS
60/63/68/70/80 NS
t
CK3
t
AC3
t
RAS
t
RC
时钟周期时间(min 。 )
存取时间从CLK (最大)
行有效时间(最大)
行周期时间(min 。 )
订购信息
产品型号
EM638165TS-6
EM638165TS-7
EM638165TS-7.5
EM638165TS-8
EM638165TS-10
频率
166MHz
143MHz
133MHz
125MHz
100MHz
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
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