EtronTech
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
CL ķ
命令
EM638165
T7
T8
读了
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
突发读取操作
（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 2 ， 3 ）
所读取的数据出现在的DQ受上DQM的值输入两个时钟更早
（即DQM延迟两个时钟输出缓冲）。爆没有自动预充电功能的读
可以通过后续的读或中断写命令在同一银行或其他活动
突发长度结束前的银行。它可以由一个BankPrecharge / PrechargeAll被中断
命令相同的银行了。中断从读命令来可以发生在任何
时钟周期以前的读命令（参见下图） 。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
命令
读了
阅读B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
阅读打断读
（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 2 ， 3 ）
在DQM投入使用，以避免对DQ引脚I / O争用时，中断到来
从一个写命令。该DQMs必须置（高）至少前两个时钟写
命令压制数据输出到DQ引脚。为了保证DQ引脚对I / O争用，
与DQ管脚的高阻抗单周期必须在最后一次读取数据和之间发生
写命令（参见下面的三个数字） 。如果发生在脉冲串的数据输出读
猝发写操作的第二时钟，所述DQMs必须被置位（高电平）的至少一个时钟之前
写命令，以避免内部总线争用。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
DQM
COMM和
NOP
读了
NOP
NOP
NOP
NOP
写B
NOP
NOP
DQ 'S
DOUT A0
必须是高阻前
写命令
DI NB 0
DINB1
DI NB 2
： "H"或"L"
读取写入间隔
（突发长度
≥
4 ， CAS＃延迟= 3 ）
初步
7
修订版0.6
2001年2月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
