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EM638325TS-6/-6G 参数 Datasheet PDF下载

EM638325TS-6/-6G图片预览
型号: EM638325TS-6/-6G
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内容描述: 2M ×32同步DRAM ( SDRAM ) [2M x 32 Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 72 页 / 761 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
特点
时钟速率: 200/183/166/143/125/100兆赫
完全同步操作
内部流水线结构
四个内部银行( 512K X 32位X 4bank )
可编程模式
- CAS #延迟: 2或3
- 突发长度: 1 , 2 , 4 , 8 ,或整页
- 突发类型:交错式或线性爆裂
- 突发读单写
突发停止功能
通过DQM0-3控制单个字节
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
+ 3.3V单
±
0.3V电源
接口: LVTTL
包装: 400× 875密耳, 86引脚TSOP II , 0.50毫米
引脚间距
无铅封装提供
EM638325
2M ×32同步DRAM ( SDRAM )
初步(启/ 2005年1.4月)
引脚配置(顶视图)
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDD
DQM0
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BS0
BS1
A10/AP
A0
A1
A2
DQM2
VDD
NC
DQ16
VSSQ
DQ17
DQ18
VDDQ
DQ19
DQ20
VSSQ
DQ21
DQ22
VDDQ
DQ23
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
VSS
NC
DQ31
VDDQ
DQ30
DQ29
VSSQ
DQ28
DQ27
VDDQ
DQ26
DQ25
VSSQ
DQ24
VSS
订购信息
产品型号
有铅/无铅封装
EM638325TS-5/-5G
EM638325TS-5.5/-5.5G
EM638325TS-6/-6G
EM638325TS-7/-7G
EM638325TS-8/-8G
EM638325TS-10/-10G
200MHz
183MHz
166MHz
143MHz
125MHz
100MHz
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
频率
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